مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=1-10) GanNn و ایزومرهایشان
Authors
Abstract:
در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های GanNn (10-1=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بستهی نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای N تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی 2N و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیوندهای Ga-N بیشتر ظاهر می شوند. یک افزایش سریع در انرژی بستگی بر اتم از 1n= به 2n= به دلیل گذار ساختار از حالت یک بعدی به دو بعدی و افزایش همپوشیهای میان اوربیتالهای N و Ga، جهت رسیدن به پایداری بیشتر است. این تغییرات برای ایزومرهای اول خوشههای 3 n> روندی تقریبا خطی را دنبال میکنند. پربند چگالی بار نشان می دهد که اگر چه پیوند Ga-N دارای خصلت یونی است ولی بطور خیلی جزئی نیز رفتار کووالانسی از خود نشان می دهد. همچنین پایینترین ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های N-s، ترازهای میانی یک حالت هیبریدی از Ga-s و N-p و ترازهای نزدیک به تراز فرمی مربوط به Ga-p و N-p هستند.
similar resources
مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=۱-۱۰) gannn و ایزومرهایشان
در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های gannn (10-1=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(dft) و به روش paw در بستهی نرم افزاری vasp مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای n تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی 2n و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیو...
full textخواص ساختاری والکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با استفاده از نظریه تابعی چگالی
در این پژوهش خواص ساختاری و الکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرضهای 19.2، 24.85، 30.49 و 36.14 آنگستروم که متناظر هستند با شمارههای زنجیرۀ زیگزاگ 3، 5، 7 و 9 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریۀ تابعی چگالی بررسی شده است. این بررسیها با استفاده از امواج تختِ تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW و کاربرد تقریب شیبِ تعمیمیافته برای پتانسیل تبادلـهمبستگی صورت گرفته اس...
full textاثر آلاینده آلومینیوم بر روی خواص ساختاری والکترونی خوشه های روی اکسید،]10-1zno)x:al , x=)[
در این مطالعه، ساختارهای الکترونی خوشه های znnon و on1-alznn (10-1=n)، با استفاده از روش موج تصویری تقویت شده (paw) و به طور خودسازگار محاسبه شده اند. محاسبات بر پایه فرمول بندی تابع چگالی (dft) و به کمک بسته نرم-افزاریvasp صورت گرفته است. برای تابع انرژی تبادلی- همبستگی، exc، روش تابعی چگالی (dft) و بر پایه تابعی pbe به خدمت گرفتهشده است. همچنین در این محاسبات، توابع موج برای خوشه های zno با ا...
15 صفحه اولمطالعه اصول اولیه خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های گالیم نیترید در حضور ناخالصی
نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآب...
15 صفحه اولبررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمههادیهای آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمههادی آلومینیم گالیم نیترید
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیبهای نیمههادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبشپذیری خودبهخودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبشپذیری و شدت آن برای نیمههادیهای دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...
full textبررسی قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی های آلومینیم نیترید،گالیم نیترید و آلومینیم گالیم نیترید و تأثیر میزان غلظت آلومینیم بر گاف نواری و قطبش ماکروسکوپیک در نیمه هادی آلومینیم گالیم نیترید
در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...
full textMy Resources
Journal title
volume 11 issue 39
pages 9- 24
publication date 2016-06-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023